国网公示2020年配网高压熔断器供应商资质能力信息核实

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（d-e）在QD薄膜的底部、年配顶部和两侧有无TSPO1的QD薄膜的PL光谱和PLQY。网高（c）原始的和TSPO1钝化的CsPbBr3QD薄膜的Pb4f核心能级XPS光谱。

压熔（i）双向钝化器件的能带图。断器研究成果以题为Abilateralinterfacialpassivationstrategypromotingefficiencyandstabilityofperovskitequantumdotlight-emittingdiodes发布在国际著名期刊NatureCommunications上。（d）在1000、商资实5000和10000cdm-2初始亮度下，测试双边钝化器件的使用寿命。

除TSPO1外，力信使用其他膦氧分子也取得了优异的结果，表明这种双边钝化方法具有普遍性。总之，息核所提出的双向钝化策略可以广泛地应用于其它类型的钙钛矿材料，以及包括太阳能电池等在内的其它光电器件。

图五、国网公示供各种分子钝化QLED的EL性能（a）双向钝化器件结构的示意图和TEM截面图;（b）所用钝化分子TSPO1、DPEPO、TPPO和DMAC-DPS的分子结构。

图三、年配比较不同钝化态的QD薄膜的激子动力学（a-b）原始和TSPO1钝化QD薄膜的衰变相关光谱。首先，网高利用主成分分析法（PCA）对铁电磁滞回线进行降噪处理，网高降噪后的磁滞曲线由（图3-7）黑线所示，能够很好的拟合磁滞回线所有结构特征，解决了传统15参数函数拟合精度不够的问题（图3-7）红色。

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